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電子與半導體關聯藥品
印刷線路板用的電鍍藥品  »  盲孔用塡孔電鍍製程
填孔製程陣容基CU-BRITE VF7,VL2 & 881Z 
用途
次世代MPU、CSP基板、Anylaye(r HDI)基板
特長
● 為次世代基版目的、用途重新推出三種超越既往製程的新型填孔製程
● 不需特定電源、直流電下實現高電鍍性能
● 槽浴穩定性高,透過定期的活性碳處理可維持長時間穩定的性能


CU-BRITE VF7 _ 次世代FC-BGA基板製程( SAP對應 )
● 對次世代封裝基板、著良好的膜厚均一性及填孔性
● 高流酸濃度=添加劑的選擇析出與既有製程相比( CU-BRITE VF5 ) 膜厚均一性提昇40%
填孔性比較
 

膜厚均一性比較

      
 
CU-BRITE VL2 _ Any layer基板對應製程
表層膜厚15μm以下對Anyl aye r(HDI )的BVH規格有著良好的填孔性 
● 表層薄膜化下不需要再薄銅
● 表層薄膜化以減少銅消耗量
● 可縮短電鍍時間以提升産能

 
 

CU-BRITE 881Z _對應Anylayer基板的高速製程
既往製程中難度高的高電流密度下有良好的填孔性 
● 可實現3~5A/dm2的高電流密度並薄銅膜下的填孔
● 大幅提升生産量



 

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